Cr4+:YAG - Ideala Materialo Por Pasiva Q-ŝanĝo
Produkta Priskribo
Kristala Pasiva Q-ŝaltilo estas preferita por simpleco de fabrikado kaj funkciado, malalta kosto kaj reduktita sistema grandeco kaj pezo.
Cr4+:YAG estas kemie stabila, UV imuna kaj ĝi estas fortika. Cr4+:YAG funkcios en ampleksa gamo de temperaturoj kaj kondiĉoj.
La bona varmokondukteco de Cr4+:YAG estas bone taŭga por alta averaĝa potenco-aplikoj.
Bonegaj rezultoj estis pruvitaj uzante Cr4+:YAG kiel pasivan Q-ŝaltilon por Nd:YAG-laseroj. La saturiĝfluo estis mezurita por esti proksimume 0.5 J/cm2. La malrapida reakiro de 8.5 µs, kompare kun tinkturfarboj, estas utila por la subpremado de reĝimŝlosado.
Q-ŝanĝitaj pulslarĝoj de 7 ĝis 70 ns kaj ripetaj indicoj de ĝis 30 Hz estis atingitaj. Testoj de Laser Damage Threshold montris, ke AR kovritaj Cr4+:YAG-pasivaj Q-ŝaltiloj superis 500 MW/cm2.
La optika kvalito kaj homogeneco de Cr4+:YAG estas bonegaj. Por minimumigi enmetperdon la kristaloj estas AR tegitaj. Cr4+:YAG-kristaloj estas ofertitaj kun norma diametro, kaj gamo da optikaj densecoj kaj longoj por kongrui kun viaj specifoj.
Ĝi ankaŭ povas esti uzata por ligi kun Nd:YAG kaj Nd,Ce:YAG, hazarda grandeco kiel D5*(85+5)
Avantaĝoj de Cr4+:YAG
● Alta kemia stabileco kaj fidindeco
● Estante facile operaciebla
● Alta difekta sojlo (>500MW/cm2)
● Kiel alta potenco, solida stato kaj kompakta pasiva Q-Ŝaltilo
● Longa vivotempo kaj bona varmokondukteco
Bazaj Propraĵoj
| Produkta Nomo | Cr4+:Y3Al5O12 |
| Kristala Strukturo | Kubo |
| Dopanta Nivelo | 0,5 mol-3 mol% |
| Moh Malmoleco | 8.5 |
| Refrakta Indekso | 1.82@1064nm |
| Orientiĝo | < 100>en 5° aŭ ene 5° |
| Komenca sorba koeficiento | 0.1~8.5cm@1064nm |
| Komenca transmisio | 3% ~ 98% |
Teknikaj Parametroj
| Grandeco | 3~20mm, H×W:3×3~20×20mm Laŭ peto de kliento |
| Dimensiaj toleremoj | Diametro: ± 0.05mm, longo: ± 0.5mm |
| Barela fino | Grunda finpoluro 400#Gmt |
| Paralelismo | ≤ 20" |
| Perpendikulareco | ≤ 15′ |
| Plateco | < λ/10 |
| Surfaca Kvalito | 20/10 (MIL-O-13830A) |
| Ondolongo | 950 nm ~ 1100nm |
| AR Tegaĵo Reflektiveco | ≤ 0.2% (@1064nm) |
| Damaĝo sojlo | ≥ 500MW/cm2 10ns 1Hz ĉe 1064nm |
| Chanfro | <0,1 mm @ 45° |
